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          中山氧化硅材料刻蝕服務 廣東省科學院半導體研究所供應

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        • 2021-01-27 15:36 92
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          產品描述

          干法刻蝕也可以根據被刻蝕的材料類型來分類。按材料來分,刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕,中山氧化硅材料刻蝕服務,如二氧化硅。接觸孔和通孔結構的制作需要刻蝕介質,從而在ILD中刻蝕出窗口,中山氧化硅材料刻蝕服務,而具有高深寬比(窗口的深與寬的比值)的窗口刻蝕具有一定的挑戰性。硅刻蝕(包括多晶硅)應用于需要去除硅的場合,如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。金屬刻蝕主要是在金屬層上去掉鋁合金復合層,制作出互連線。廣東省科學院半導體研究所,中山氧化硅材料刻蝕服務。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負載),通常以百分比表示。中山氧化硅材料刻蝕服務

          等離子刻蝕的原理可以概括為以下幾個步驟:1、在低壓下,反應氣體在射頻功率的激發下,產生電離并形成等離子體,等離子體是由帶電的電子和離子組成,反應腔體中的氣體在電子的撞擊下,除了轉變成離子外,還能吸收能量并形成大量的活性基團(Radicals)2、活性反應基團和被刻蝕物質表面形成化學反應并形成揮發性的反應生成物3、反應生成物脫離被刻蝕物質表面,并被真空系統抽出腔體。在平行電*等離子體反應腔體中,被刻蝕物是被置于面積較小的電*上,在這種情況,一個直流偏壓會在等離子體和該電*間形成,并使帶正電的反應氣體離子加速撞擊被刻蝕物質表面,這種離子轟擊可較大加快表面的化學反應,及反應生成物的脫附,從而導致比較高的刻蝕速率,正是由于離子轟擊的存在才使得各向異性刻蝕得以實現。云南材料刻蝕多少錢無圖形刻蝕、反刻或剝離是在整個硅片沒有掩模的情況下進行的,這種刻蝕工藝用于剝離掩模層。

          雙等離子體源刻蝕機加裝有兩個射頻(RF)功率源,能夠***地控制離子密度與離子能量。位于上部的射頻功率源通過電感線圈將能量傳遞給等離子體從而增加離子密度,但是離子濃度增加的同時離子能量也隨之增加。下部加裝的偏置射頻電源通過電容結構能夠降低轟擊在硅表面離子的能量而不影響離子濃度,從而能夠*好地控制刻蝕速率與選擇比。原子層刻蝕(ALE)為下一代刻蝕工藝技術,能夠**去除材料而不影響其他部分。隨著結構尺寸的不斷縮小,反應離子刻蝕面臨刻蝕速率差異與下層材料損傷等問題。原子層刻蝕(ALE)能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分,可以用于定向刻蝕或生成光滑表面,是刻蝕技術研究的熱點之一。目前原子層刻蝕在芯片制造領域并沒有取代傳統的等離子刻蝕工藝,而是被用于原子級目標材料精密去除過程。

          材料的濕法化學刻蝕,包括刻蝕劑到達材料表面和反應產物離開表面的傳輸過程,也包括表面本身的反應。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素,則這種反應受擴散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的,這是因為覆蓋在表面上有一污染層。因此,刻蝕時受到反應劑擴散速率的限制。污染層厚度常有幾微米,如果化學反應有氣體逸出,則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產生,這種產物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高,常常使溶液攪動,因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而,結晶材料的刻蝕可能是各向同性,也可能是各向異性的,它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕,因為它們產生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,或使晶體產生缺陷。因此,可用于化學加工,也可作為結晶刻蝕劑??涛g成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱。

          二氧化硅的干法刻蝕:刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕。使用的氣體有四氟化碳(CF)、八氟丙烷(C,F8)、三氟甲烷(CHF3)等,常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好,CHF3的聚合物生產速率較高,非等離子體狀態下的氟碳化合物化學穩定性較高,且其化學鍵比SiF的化學鍵強,不會與硅或硅的氧化物反應。選擇比的改變在當今半導體工藝中,Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,后者則是金屬層,通常是TiN(氮化鈦),因此在Si02的刻蝕中,Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素??涛g是按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性刻蝕的技術。云南材料刻蝕多少錢

          一般而言,高蝕速率(在一定時間內去除的材料量)都會受到歡迎。中山氧化硅材料刻蝕服務

          反應離子刻蝕(RIE)是當前常用技術路徑,屬于物理和化學混合刻蝕。在傳統的反應離子刻蝕機中,進入反應室的氣體會被分解電離為等離子體,等離子體由反應正離子、自由基、反應原子等組成。反應正離子會轟擊硅片表面形成物理刻蝕,同時被轟擊的硅片表面化學活性被提高,之后硅片會與自由基和反應原子形成化學刻蝕。這個過程中由于離子轟擊帶有方向性,RIE技術具有較好的各向異性。目前**集成電路制造技術中用于刻蝕關鍵層的刻蝕方法是高密度等離子體刻蝕技術。傳統的RIE系統難以使刻蝕物質進入高深寬比圖形中并將殘余生成物從中排出,因此不能滿足0.25μm以下尺寸的加工要求,解決辦法是增加等離子體的密度。高密度等離子體刻蝕技術主要分為電子回旋加速振蕩(ECR)、電容或電感耦合等離子體(CCP/ICP)、雙等離子體源等。中山氧化硅材料刻蝕服務

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